產品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達林頓）
- 東芝復合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應模塊
- IR可控硅
文章詳情
三菱igbt模塊的性能特點介紹
日期：2025-05-09 19:13
瀏覽次數：1138
摘要：
三菱igbt模塊的性能特點：
三菱igbt模塊采用新的CSTBTTM硅片技術:低飽和壓降Vce(sat), 低開關損耗Esw(on), Esw(off)。高短路耐受能力。
三菱igbt模塊采用新的CSTBTTM硅片技術:低飽和壓降Vce(sat), 低開關損耗Esw(on), Esw(off)。高短路耐受能力。
ΔT(j-f)性能優于歐洲的同類溝槽型IGBT模塊
采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f)，通過采用氮化鋁AlN絕緣層實現優良的熱阻特性
成本優化的封裝，低阻抗封裝(A系列1單元除外)
飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，通過調整底板與氮化鋁絕緣層之間的焊接層厚度來改善溫度循環能力Δ Tc (焊接層疲勞)，熱阻小
模塊內部寄生電感小，減小柵極電容:柵極驅動功率近似于平面型IGBTs
功率循環能力顯著改善，采用新的導線焊接工藝大大提高功率循環能力ΔTj (導線連接疲勞).
尊敬的客戶：
本公司還有英飛凌igbt、英飛凌模塊、igbt等產品，您可以通過網頁撥打本公司的服務電話了解更多產品的詳細信息，至善至美的服務是我們的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產品，我們將竭誠為您服務！
