英飛凌模塊的發(fā)展

日期：2025-05-10 08:15

瀏覽次數(shù)：561

摘要：英飛凌模塊碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導(dǎo)體組別。與常用硅(Si)器件相比，它們?yōu)楦邏汗β拾雽?dǎo)體提供了許多有吸引力的特性。SiC器件有可能在對效率、功率密度參數(shù)敏感的應(yīng)用的領(lǐng)域得到率先應(yīng)用。業(yè)界一致認為電動車充電樁與光伏發(fā)電是兩個比較典型的急需從傳統(tǒng)的Si器件升級到SiC器件的應(yīng)用。英飛凌一直在不斷開發(fā)碳化硅前沿的技術(shù)，產(chǎn)品以及解決方案，致力于滿足用戶對節(jié)能，提升效率、縮減尺寸、系統(tǒng)集成和提高可靠性的需求。新的CoolSiC模塊使用英飛凌的碳化硅溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，能獲得更高的芯片密度，英飛凌新...

英飛凌模塊碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導(dǎo)體組別。與常用硅(Si)器件相比，它們?yōu)楦邏汗β拾雽?dǎo)體提供了許多有吸引力的特性。SiC器件有可能在對效率、功率密度參數(shù)敏感的應(yīng)用的領(lǐng)域得到率先應(yīng)用。業(yè)界一致認為電動車充電樁與光伏發(fā)電是兩個比較典型的急需從傳統(tǒng)的Si器件升級到SiC器件的應(yīng)用。英飛凌一直在不斷開發(fā)碳化硅前沿的技術(shù)，產(chǎn)品以及解決方案，致力于滿足用戶對節(jié)能，提升效率、縮減尺寸、系統(tǒng)集成和提高可靠性的需求。

新的CoolSiC模塊使用英飛凌的碳化硅溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，能獲得更高的芯片密度，英飛凌新興技術(shù)主管MarkMünzer表示：“隨著SiC器件價格的大幅下降，SiC解決方案的商業(yè)化將加速，從而使SiC技術(shù)被廣泛應(yīng)用于提升電動車的續(xù)航里程。”

尊敬的客戶：

本公司還有英飛凌igbt、三菱igbt、英飛凌igbt模塊等產(chǎn)品，您可以通過網(wǎng)頁撥打本公司的服務(wù)電話了解更多產(chǎn)品的詳細信息，至善至美的服務(wù)是我們的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠為您服務(wù)！

下一篇：西門康IGBT模塊的測量操作
上一篇：三菱igbt基本介紹

京公網(wǎng)安備 11010502035422號